SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Productos de semiconductores discretos

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SSM3J168F,LF
Número de pieza de DigiKey	SSM3J168FLFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM3J168FLFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM3J168FLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3J168F,LF
Descripción	MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 400mA (Ta) 1.2W (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM3J168F,LF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	400mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.9Ohm a 100mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	82 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	SSM3J168