Name: SSM3J356R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J356RLFTR-ND
Price: 0.38 USD
Availability: OutOfStock

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SSM3J356R,LF
N.º de producto de DigiKey	SSM3J356RLFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM3J356RLFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM3J356RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3J356R,LF
Descripción	MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 2 A (Ta) 1W (Ta) SOT-23F
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM3J356R,LF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	300mOhm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	330 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-3 conductores planos
Número de producto base	SSM3J356