Name: SSM3K37CT,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3K37CTL3FTR-ND
Price: 0.18 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SSM3K37CT,L3F
N.º de producto de DigiKey	264-SSM3K37CTL3FTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-SSM3K37CTL3FCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-SSM3K37CTL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3K37CT,L3F
Descripción	MOSFET N-CH 20V 200MA CST3
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 200mA (Ta) 100mW (Ta) CST3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM3K37CT,L3F Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIII
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.2Ohm a 100mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 1mA
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	12 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	100mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	CST3
Paquete / Caja (carcasa)	SC-101, SOT-883
Número de producto base	SSM3K37