Name: SSM6J212FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J212FELFTR-ND
Price: 0.45 USD
Availability: OutOfStock

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SSM6J212FE,LF
N.º de producto de DigiKey	SSM6J212FELFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM6J212FELFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM6J212FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM6J212FE,LF
Descripción	MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 4 A (Ta) 500mW (Ta) ES6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM6J212FE,LF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	40.7mOhm a 3A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14.1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	970 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	ES6
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-563, SOT-666
Número de producto base	SSM6J212