Name: SSM6P69NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6P69NULFTR-ND
Price: 0.66 USD
Availability: OutOfStock

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SSM6P69NU,LF
N.º de producto de DigiKey	SSM6P69NULFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM6P69NULFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM6P69NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM6P69NU,LF
Descripción	MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 20V 4 A (Ta) 1W (Ta) Montaje en superficie 6-µDFN (2x2)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM6P69NU,LF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal P (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.8V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4 A (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	45mOhm a 3.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.74nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	480pF a 10V
Potencia - Máx.	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-WDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	6-µDFN (2x2)
Número de producto base	SSM6P69