Name: T2N7002AK,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: T2N7002AKLMTR-ND
Price: 0.13 USD
Availability: InStock

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T2N7002AK,LM
N.º de producto de DigiKey	T2N7002AKLMTR-ND - Cinta y rollo (TR) T2N7002AKLMCT-ND - Cinta cortada (CT) T2N7002AKLMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	T2N7002AK,LM
Descripción	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 200mA (Ta) 320mW (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	T2N7002AK,LM Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.9Ohm a 100mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.35 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	17 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	320mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	T2N7002