Name: TK100E10N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK100E10N1S1X-ND
Price: 4.58 USD
Availability: OutOfStock

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TK100E10N1,S1X
N.º de producto de DigiKey	TK100E10N1S1X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK100E10N1,S1X
Descripción	MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 100 A (Ta) 255W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK100E10N1,S1X Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.4mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8800 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	255W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	TK100E10

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1	$4.58000	$4.58
50	$2.71320	$135.66
100	$2.41740	$241.74
500	$2.24560	$1,122.80
1,000	$2.22375	$2,223.75

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