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TK10A60W,S4X

N.º de producto de DigiKey
TK10A60WS4X-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TK10A60W,S4X
Descripción
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Plazo estándar del fabricante
17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 9.7 A (Ta) 30W (Tc) TO-220SIS
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
TK10A60W,S4X Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
9.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
380mOhm a 4.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.7V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
720 pF @ 300 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
30W (Tc)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 paquete completo
Número de producto base
TK10A60
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Cantidad
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Tubo
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