Name: TK10A80W,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK10A80W,S4X-ND
Price: 3.53 USD
Availability: InStock

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TK10A80W,S4X
N.º de producto de DigiKey	264-TK10A80W,S4X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK10A80W,S4X
Descripción	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 800 V 9.5 A (Ta) 40W (Tc) TO-220SIS
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK10A80W,S4X Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	550mOhm a 4.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 450µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1150 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	TK10A80

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$3.53000	$3.53
50	$1.92780	$96.39
100	$1.75440	$175.44
500	$1.65896	$829.48
1,000	$1.58625	$1,586.25

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.