Name: TK10E60W,S1VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10E60WS1VX-ND
Price: 4.49 USD
Availability: OutOfStock

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TK10E60W,S1VX
N.º de producto de DigiKey	TK10E60WS1VX-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK10E60W,S1VX
Descripción	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 9.7 A (Ta) 100W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK10E60W,S1VX Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	380mOhm a 4.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.7V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	700 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	TK10E60

TK10E60W,S1VX