Name: TK11P65W,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK11P65W,RQTR-ND
Price: 2.59 USD
Availability: OutOfStock

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TK11P65W,RQ
N.º de producto de DigiKey	264-TK11P65W,RQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TK11P65W,RQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TK11P65W,RQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK11P65W,RQ
Descripción	MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 11.1 A (Ta) 100W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK11P65W,RQ Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	440mOhm a 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 450µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	890 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	TK11P65

TK11P65W,RQ