Name: TK11S10N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK11S10N1L,LQTR-ND
Price: 0.91 USD
Availability: OutOfStock

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TK11S10N1L,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TK11S10N1L,LQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TK11S10N1L,LQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TK11S10N1L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK11S10N1L,LQ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 11 A (Ta) 65W (Tc) DPAK+
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK11S10N1L,LQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	28mOhm a 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	850 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK+
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	TK11S10