Name: TK14A65W5,S5X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK14A65W5S5X-ND
Price: 2.2442 USD
Availability: OutOfStock

¿Necesita ayuda?

Comentarios

Información sobre DigiKey Marketplace Vender en DigiKey.com Mapa del sitio Soluciones digitales Sala De Prensa

Ayuda y soporte Estado del pedido Opciones/tarifas de envío Devoluciones e inconvenientes con pedidos

Chat 800-351-0126 spanish.support@digikey.com Conavegar

TK14A65W5,S5X
N.º de producto de DigiKey	TK14A65W5S5X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK14A65W5,S5X
Descripción	MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 13.7 A (Ta) 40W (Tc) TO-220SIS
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK14A65W5,S5X Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	300mOhm a 6.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 690µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1300 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	TK14A65

TK14A65W5,S5X