Name: TK16G60W,RVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK16G60WRVQTR-ND
Price: 7.96 USD
Availability: OutOfStock

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TK16G60W,RVQ
N.º de producto de DigiKey	TK16G60WRVQTR-ND - Cinta y rollo (TR) TK16G60WRVQCT-ND - Cinta cortada (CT) TK16G60WRVQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK16G60W,RVQ
Descripción	MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 15.8 A (Ta) 130W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK16G60W,RVQ Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	15.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	190mOhm a 7.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.7V a 790µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1350 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	TK16G60

TK16G60W,RVQ