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TK17N65W,S1F
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TO-220-3
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TK17E65W,S1X

N.º de producto de DigiKey
TK17E65WS1X-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TK17E65W,S1X
Descripción
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Plazo estándar del fabricante
20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 17.3 A (Ta) 165W (Tc) TO-220
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Modelos EDA/CAD
TK17E65W,S1X Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
17.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
200mOhm a 8.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 900µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1800 pF @ 300 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
TK17E65
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$4.78000$4.78
50$2.47800$123.90
100$2.25560$225.56
500$1.86618$933.09
1,000$1.79375$1,793.75
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.