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TK18A50D(STA4,Q,M)

N.º de producto de DigiKey
TK18A50D(STA4QM)-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TK18A50D(STA4,Q,M)
Descripción
MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS
Plazo estándar del fabricante
32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 500 V 18 A (Ta) 50W (Tc) TO-220SIS
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
π-MOSVII
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
18 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
270mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2600 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 paquete completo
Número de producto base
TK18A50
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Cantidad
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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$4.11000$4.11
50$2.52840$126.42
100$1.90740$190.74
500$1.67400$837.00
1,000$1.58000$1,580.00
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.