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TK25N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
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FCP125N65S3
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TO-220-3
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TK25E60X,S1X

N.º de producto de DigiKey
TK25E60XS1X-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TK25E60X,S1X
Descripción
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Plazo estándar del fabricante
20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 25 A (Ta) 180W (Tc) TO-220
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
TK25E60X,S1X Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV-H
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
25 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
125mOhm a 7.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 1.2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2400 pF @ 300 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
TK25E60
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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$6.08000$6.08
50$3.77300$188.65
100$2.74380$274.38
500$2.46376$1,231.88
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.