Name: TK28N65W,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK28N65WS1F-ND
Price: 7.87 USD
Availability: OutOfStock

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TK28N65W,S1F
N.º de producto de DigiKey	TK28N65WS1F-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK28N65W,S1F
Descripción	MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 27.6 A (Ta) 230W (Tc) TO-247
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK28N65W,S1F Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	27.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	110mOhm a 13.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 1.6mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3000 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	TK28N65

TK28N65W,S1F