Name: TK290P65Y,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK290P65YRQTR-ND
Price: 1.91 USD
Availability: OutOfStock

TK290P65Y,RQ está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Directo

onsemi

En stock: 0

Precio por unidad : $2.05000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

TK290P65Y,RQ
N.º de producto de DigiKey	TK290P65YRQTR-ND - Cinta y rollo (TR) TK290P65YRQCT-ND - Cinta cortada (CT) TK290P65YRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK290P65Y,RQ
Descripción	MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 11.5 A (Tc) 100W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	290mOhm a 5.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 450µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	730 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	TK290P65