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TK4A55D(STA4,Q,M)

N.º de producto de DigiKey
TK4A55D(STA4QM)-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TK4A55D(STA4,Q,M)
Descripción
MOSFET N-CH 550V 4A TO220SIS
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 550 V 4 A (Ta) 35W (Tc) TO-220SIS
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
TK4A55D(STA4,Q,M) Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
π-MOSVII
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
550 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.88Ohm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4.4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
490 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 paquete completo
Número de producto base
TK4A55
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