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TK4P60DB(T6RSS-Q)

N.º de producto de DigiKey
TK4P60DB(T6RSS-Q)-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TK4P60DB(T6RSS-Q)
Descripción
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 600 V 3.7 A (Ta) 80W (Tc) DPAK
Modelos EDA/CAD
TK4P60DB(T6RSS-Q) Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
π-MOSVII
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
3.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2Ohm a 1.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4.4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
540 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base
TK4P60
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