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TK4R3E06PL,S1X

N.º de producto de DigiKey
TK4R3E06PLS1X-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TK4R3E06PL,S1X
Descripción
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 60 V 80A (Tc) 87W (Tc) TO-220
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
TK4R3E06PL,S1X Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
U-MOSIX-H
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
7.2mOhm a 15A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
48.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3280 pF @ 30 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
87W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
TK4R3E06
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Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$2.05000$2.05
50$1.13840$56.92
100$1.03880$103.88
500$0.84364$421.82
1,000$0.75321$753.21
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5,000$0.69526$3,476.30
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.
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