Name: TK4R4P06PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4R4P06PLRQTR-ND
Price: 1.14 USD
Availability: OutOfStock

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TK4R4P06PL,RQ
N.º de producto de DigiKey	TK4R4P06PLRQTR-ND - Cinta y rollo (TR) TK4R4P06PLRQCT-ND - Cinta cortada (CT) TK4R4P06PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK4R4P06PL,RQ
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 58A (Tc) 87W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK4R4P06PL,RQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	58A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.4mOhm a 29A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	48.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3280 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	87W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	TK4R4P06