TK50P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage | Productos semiconductores discretos

TK50P04M1(T6RSS-Q) es obsoleto y ya no se fabrica.

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TK50P04M1(T6RSS-Q)
N.º de producto de DigiKey	TK50P04M1(T6RSSQ)TR-ND - Cinta y rollo (TR) TK50P04M1(T6RSSQ)CT-ND - Cinta cortada (CT) TK50P04M1(T6RSSQ)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK50P04M1(T6RSS-Q)
Descripción	MOSFET N-CH 40V 50A DP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 50 A (Ta) 60W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK50P04M1(T6RSS-Q) Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	50 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.7mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.3V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2600 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	TK50P04