Name: TK5P60W,RVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK5P60WRVQTR-ND
Price: 2.54 USD
Availability: OutOfStock

TK5P60W,RVQ está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

Infineon Technologies

En stock: 0

Precio por unidad : $1.19000

Similar

STMicroelectronics

En stock: 2,500

Precio por unidad : $2.35000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

TK5P60W,RVQ
N.º de producto de DigiKey	TK5P60WRVQTR-ND - Cinta y rollo (TR) TK5P60WRVQCT-ND - Cinta cortada (CT) TK5P60WRVQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK5P60W,RVQ
Descripción	MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 5.4 A (Ta) 60W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK5P60W,RVQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5.4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	900mOhm a 2.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.7V a 270µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	380 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	TK5P60