Name: TK6A60W,S4VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK6A60WS4VX-ND
Price: 1.91 USD
Availability: OutOfStock

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TK6A60W,S4VX
N.º de producto de DigiKey	TK6A60WS4VX-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK6A60W,S4VX
Descripción	MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 6.2 A (Ta) 30W (Tc) TO-220SIS
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK6A60W,S4VX Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	750mOhm a 3.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.7V a 310µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	390 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	TK6A60

TK6A60W,S4VX