Name: TK90S06N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK90S06N1LLQTR-ND
Price: 2.76 USD
Availability: OutOfStock

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TK90S06N1L,LQ
N.º de producto de DigiKey	TK90S06N1LLQTR-ND - Cinta y rollo (TR) TK90S06N1LLQCT-ND - Cinta cortada (CT) TK90S06N1LLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK90S06N1L,LQ
Descripción	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 90 A (Ta) 157W (Tc) DPAK+
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK90S06N1L,LQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	90 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.3mOhm a 45A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5400 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	157W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK+
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	TK90S06