TPC6011(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage | Productos semiconductores discretos

TPC6011(TE85L,F,M) es obsoleto y ya no se fabrica.

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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

TPC6011(TE85L,F,M)
N.º de producto de DigiKey	TPC6011(TE85LFM)-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPC6011(TE85L,F,M)
Descripción	MOSFET N-CH 30V 6A VS-6
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 6 A (Ta) 700mW (Ta) VS-6 (2.9x2.8)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIV
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	20mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	640 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	VS-6 (2.9x2.8)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de producto base	TPC6011