Name: TPH1110FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH1110FNHL1QTR-ND
Price: 2.38 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

TPH1110FNH,L1Q
N.º de producto de DigiKey	TPH1110FNHL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) TPH1110FNHL1QCT-ND - Cinta cortada (CT) TPH1110FNHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPH1110FNH,L1Q
Descripción	MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 250 V 10 A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPH1110FNH,L1Q Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	112mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 300µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1100 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.6W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP avanzado (5x5)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	TPH1110