Name: TPH2R306NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R306NHL1QTR-ND
Price: 2.36 USD
Availability: OutOfStock

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TPH2R306NH,L1Q
N.º de producto de DigiKey	TPH2R306NHL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) TPH2R306NHL1QCT-ND - Cinta cortada (CT) TPH2R306NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPH2R306NH,L1Q
Descripción	MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPH2R306NH,L1Q Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	60A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.3mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6100 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.6W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP avanzado (5x5)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	TPH2R306