Name: TPH8R903NL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH8R903NLLQTR-ND
Price: 1.3 USD
Availability: OutOfStock

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TPH8R903NL,LQ
N.º de producto de DigiKey	TPH8R903NLLQTR-ND - Cinta y rollo (TR) TPH8R903NLLQCT-ND - Cinta cortada (CT) TPH8R903NLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPH8R903NL,LQ
Descripción	MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 20A (Tc) 1.6W (Ta), 24W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPH8R903NL,LQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.9mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.3V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	820 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.6W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP avanzado (5x5)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	TPH8R903