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Infineon Technologies
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Canal N Montaje en superficie 30 V 45A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
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TPN2R203NC,L1Q

Número de pieza de DigiKey
TPN2R203NCL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR)
TPN2R203NCL1QCT-ND - Cinta cortada (CT)
TPN2R203NCL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TPN2R203NC,L1Q
Descripción
MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 45A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
TPN2R203NC,L1Q Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
U-MOSVIII
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
45A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.2mOhm a 22.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.3V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2230 pF @ 15 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPN2R203
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Cantidad
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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$1.41000$1.41
10$0.95500$9.55
100$0.67120$67.12
500$0.58794$293.97
1,000$0.53750$537.50
2,000$0.53397$1,067.94
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
5,000$0.43625$2,181.25
Paquete estándar del fabricante