Name: TPN3300ANH,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN3300ANHLQTR-ND
Price: 1.28 USD
Availability: OutOfStock

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TPN3300ANH,LQ
N.º de producto de DigiKey	TPN3300ANHLQTR-ND - Cinta y rollo (TR) TPN3300ANHLQCT-ND - Cinta cortada (CT) TPN3300ANHLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPN3300ANH,LQ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 9.4A (Tc) 700mW (Ta), 27W (Tc) 8-TSON avanzado (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPN3300ANH,LQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	33mOhm a 4.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	880 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	700mW (Ta), 27W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-TSON avanzado (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	TPN3300