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TPHR8504PL,L1Q
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TPHR8504PL,L1Q
8-PowerVDFN,-8-TSON

TPN4R303NL,L1Q

N.º de producto de DigiKey
264-TPN4R303NL,L1QTR-ND - Cinta y rollo (TR)
264-TPN4R303NL,L1QCT-ND - Cinta cortada (CT)
264-TPN4R303NL,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TPN4R303NL,L1Q
Descripción
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 40A (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
TPN4R303NL,L1Q Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
U-MOSVIII-H
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
4.3mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.3V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
14.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1400 pF @ 15 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
700mW (Ta), 34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPN4R303
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$1.14000$1.14
10$0.82300$8.23
100$0.57430$57.43
500$0.49746$248.73
1,000$0.45441$454.41
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
5,000$0.37926$1,896.30
10,000$0.37436$3,743.60
Paquete estándar del fabricante