Canal N Montaje en superficie 30 V 27A (Tc) 700mW (Ta), 32W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
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TPN6R003NL,LQ

Número de pieza de DigiKey
TPN6R003NLLQTR-ND - Cinta y rollo (TR)
TPN6R003NLLQCT-ND - Cinta cortada (CT)
TPN6R003NLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TPN6R003NL,LQ
Descripción
MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 27A (Tc) 700mW (Ta), 32W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
TPN6R003NL,LQ Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
U-MOSVIII-H
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
27A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
6mOhm a 13.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.3V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1400 pF @ 15 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
700mW (Ta), 32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPN6R003
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$1.32000$1.32
10$0.91400$9.14
100$0.69910$69.91
500$0.55050$275.25
1,000$0.50267$502.67
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
3,000$0.42869$1,286.07
6,000$0.40250$2,415.00
Paquete estándar del fabricante