Name: TPW1R005PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R005PLL1QTR-ND
Price: 3.98 USD
Availability: OutOfStock

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TPW1R005PL,L1Q
N.º de producto de DigiKey	TPW1R005PLL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) TPW1R005PLL1QCT-ND - Cinta cortada (CT) TPW1R005PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPW1R005PL,L1Q
Descripción	MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 45 V 300A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) 8-DSOP avanzado
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPW1R005PL,L1Q Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	45 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	300A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	9600 pF @ 22.5 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DSOP avanzado
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	TPW1R005