Name: TPW2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW2900ENH,L1QTR-ND
Price: 2.97 USD
Availability: InStock

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TPW2900ENH,L1Q
N.º de producto de DigiKey	264-TPW2900ENH,L1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPW2900ENH,L1QCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPW2900ENH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPW2900ENH,L1Q
Descripción	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 33 A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) 8-DSOP avanzado
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	33 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	29mOhm a 16.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2200 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	800mW (Ta), 142W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DSOP avanzado
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN