Name: TW083N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083N65CS1F-ND
Price: 16.28 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

TW083N65C,S1F
N.º de producto de DigiKey	264-TW083N65CS1F-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TW083N65C,S1F
Descripción	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) TO-247
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	113mOhm a 15A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 600µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	873 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	111W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$16.28000	$16.28
30	$11.77433	$353.23
120	$11.45642	$1,374.77

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