Name: XPH3R114MC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH3R114MCL1XHQTR-ND
Price: 1.72 USD
Availability: OutOfStock

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XPH3R114MC,L1XHQ
N.º de producto de DigiKey	264-XPH3R114MCL1XHQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-XPH3R114MCL1XHQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-XPH3R114MCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	XPH3R114MC,L1XHQ
Descripción	MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 100 A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	XPH3R114MC,L1XHQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.1mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	230 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	9500 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP avanzado (5x5)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	XPH3R114