Name: XPQ1R00AQB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQ1R00AQBLXHQTR-ND
Price: 5 USD
Availability: OutOfStock

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XPQ1R00AQB,LXHQ
N.º de producto de DigiKey	264-XPQ1R00AQBLXHQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-XPQ1R00AQB,LXHQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-XPQ1R00AQB,LXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	XPQ1R00AQB,LXHQ
Descripción	100V UMOS10 L-TOGL 1.03MOHM
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 300 A (Ta) 750W (Tc) L-TOGL™
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	300 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.03mOhm a 150A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 1.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	269 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	21450 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	750W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	L-TOGL™
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerBSFN