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XPH6R30ANB,L1XHQ
Toshiba Semiconductor and Storage
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TK200F04N1L,LXGQ
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XPW6R30ANB,L1XHQ

N.º de producto de DigiKey
264-XPW6R30ANBL1XHQTR-ND - Cinta y rollo (TR)
264-XPW6R30ANBL1XHQCT-ND - Cinta cortada (CT)
264-XPW6R30ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
XPW6R30ANB,L1XHQ
Descripción
MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Plazo estándar del fabricante
32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 100 V 45 A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) 8-DSOP avanzado
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
XPW6R30ANB,L1XHQ Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
U-MOSVIII-H
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
45 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
6.3mOhm a 22.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3240 pF @ 10 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DSOP avanzado
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerVDFN
Número de producto base
XPW6R30
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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$2.48000$2.48
10$1.69300$16.93
100$1.04040$104.04
500$0.97920$489.60
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
5,000$0.80000$4,000.00
Paquete estándar del fabricante