Name: TP65H070G4LSGB-TR
Brand: Transphorm
SKU: 1707-TP65H070G4LSGB-TR-ND
Price: 11.64 USD
Availability: OutOfStock

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TP65H070G4LSGB-TR
N.º de producto de DigiKey	1707-TP65H070G4LSGB-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1707-TP65H070G4LSGB-TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 1707-TP65H070G4LSGB-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Transphorm
Número de pieza del fabricante	TP65H070G4LSGB-TR
Descripción	GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 29A (Tc) 96W (Tc) 8-PQFN (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Transphorm
Serie	SuperGaN®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	29A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	85mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.6V a 700µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	600 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN