Name: TP65H070LDG-TR
Brand: Transphorm
SKU: 1707-TP65H070LDG-TR-ND
Price: 14.45 USD
Availability: OutOfStock

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Transphorm

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TP65H070LDG-TR
N.º de producto de DigiKey	1707-TP65H070LDG-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1707-TP65H070LDG-TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 1707-TP65H070LDG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Transphorm
Número de pieza del fabricante	TP65H070LDG-TR
Descripción	650 V 25 A GAN FET
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) 3-PQFN (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Transphorm
Serie	TP65H070L
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	25A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	85mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.8V a 700µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	600 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	3-PQFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	3-PowerDFN