Name: 2N7002K-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-2N7002K-T1-E3TR-ND
Price: 0.29 USD
Availability: InStock

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2N7002K-T1-E3
N.º de producto de DigiKey	742-2N7002K-T1-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-2N7002K-T1-E3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-2N7002K-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	2N7002K-T1-E3
Descripción	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	2N7002K-T1-E3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	300mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	30 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	2N7002