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IRFB18N50K

N.º de producto de DigiKey
IRFB18N50K-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
IRFB18N50K
Descripción
MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 500 V 17 A (Tc) 220W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IRFB18N50K Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
17 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
290mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2830 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
220W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
IRFB18
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