IRFB9N65APBF Vishay Siliconix | Productos semiconductores discretos

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IRFB9N65APBF
N.º de producto de DigiKey	IRFB9N65APBF-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	IRFB9N65APBF
Descripción	MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 8.5A (Tc) 167W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFB9N65APBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	930mOhm a 5.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1417 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IRFB9