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TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

IRFBE30SPBF

N.º de producto de DigiKey
IRFBE30SPBF-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
IRFBE30SPBF
Descripción
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Plazo estándar del fabricante
15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IRFBE30SPBF Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
4.1A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
3Ohm a 2.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1300 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
IRFBE30
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$4.18000$4.18
50$2.10640$105.32
100$1.94040$194.04
500$1.59202$796.01
1,000$1.48072$1,480.72
2,000$1.43750$2,875.00
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.