SIHD5N80AE-GE3
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IRFR210PBF-BE3

N.º de producto de DigiKey
742-IRFR210PBF-BE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
IRFR210PBF-BE3
Descripción
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Plazo estándar del fabricante
15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 200 V 2.6 A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
2.6 A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.5Ohm a 1.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
140 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base
IRFR210
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$1.23000$1.23
75$0.50000$37.50
Paquete estándar del fabricante
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