IRLR120PBF Vishay Siliconix | Productos semiconductores discretos

IRLR120PBF es obsoleto y ya no se fabrica.

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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IRLR120PBF
N.º de producto de DigiKey	IRLR120PBF-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	IRLR120PBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRLR120PBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	270mOhm a 4.6A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	490 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IRLR120