SI1902DL-T1-BE3 Vishay Siliconix | Productos semiconductores discretos

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SI1902DL-T1-BE3
N.º de producto de DigiKey	742-SI1902DL-T1-BE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SI1902DL-T1-BE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SI1902DL-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI1902DL-T1-BE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 20V 660mA (Ta) 270mW (Ta) Montaje en superficie SC-70-6
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	660mA (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	385mOhm a 660mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.2nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	-
Potencia - Máx.	270mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor	SC-70-6
Número de producto base	SI1902